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| 产品名称： | HAD-2263/ST2263 双电测数字式四探针测试仪 |
| 产品型号： | HAD-2263/ST2263 |
| 品牌： | 663 |
| 产品数量： | |
| 产品单价： | 面议 |
| 日期: | 2020-06-15 |
HAD-2263/ST2263 双电测数字式四探针测试仪 的详细资料
双电测数字式四探针测试仪 双电测四探针检测仪
型号:HAD-2263/ST2263
型号:HAD-2263/ST2263
概述
HAD-2263型双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测-改进形范德堡测量方法测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器单晶硅物理测试方法标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。
仪器成套组成：由主机、选配的四探针探头、测试台以及PC软件等部分组成。
主机主要由恒流源、高分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成，USB通讯接口。仪器主机参数设定、功能转换部采用数字化键盘和数码开关输入；具有零位、满度自校功能；测试功能可自动/手动方式；仪器操作可由配套软件在PC机上操作完成，也可脱PC机由四探针仪器面板上操作完成。测试结果数据由主机数码管直接显示，也可连机由软件界面同步显示、分析、保存和打印！
探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。有高耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有球形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量。
测试台选配：一般四探针法测试电阻率/方阻配HAD-A或HAD-B或HAD-C或HAD-F型测试台。
详见《四探针仪器、探头和测试台的特点与选型参考》
仪器具有测量度高、灵敏度高、稳定性好、化程度高、测量简便、结构紧凑、使用方便等特点。
仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。
三、基本参数
3.1 测量范围
电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm
方 阻：5×10-4～1×106 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□
电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω
3.2 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)
直 径：HAD-A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm，手持方式不限
HAD-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm，手持方式不限.
长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 手持方式不限.
测量方位: 轴向、径向均可
HAD-2263型双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测-改进形范德堡测量方法测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器单晶硅物理测试方法标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。
仪器成套组成：由主机、选配的四探针探头、测试台以及PC软件等部分组成。
主机主要由恒流源、高分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成，USB通讯接口。仪器主机参数设定、功能转换部采用数字化键盘和数码开关输入；具有零位、满度自校功能；测试功能可自动/手动方式；仪器操作可由配套软件在PC机上操作完成，也可脱PC机由四探针仪器面板上操作完成。测试结果数据由主机数码管直接显示，也可连机由软件界面同步显示、分析、保存和打印！
探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。有高耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有球形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量。
测试台选配：一般四探针法测试电阻率/方阻配HAD-A或HAD-B或HAD-C或HAD-F型测试台。
详见《四探针仪器、探头和测试台的特点与选型参考》
仪器具有测量度高、灵敏度高、稳定性好、化程度高、测量简便、结构紧凑、使用方便等特点。
仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。
三、基本参数
3.1 测量范围
电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm
方 阻：5×10-4～1×106 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□
电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω
3.2 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)
直 径：HAD-A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm，手持方式不限
HAD-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm，手持方式不限.
长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 手持方式不限.
测量方位: 轴向、径向均可
量程划分及误差等
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满度显示
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200.0
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20.00
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2.000
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200.0
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20.00
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2.000
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200.0
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20.00
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常规量程
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kΩ-cm/□
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kΩ-cm/□
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Ω-cm/□
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mΩ-cm/□
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基本误差
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±2%FSB
±4LSB
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±1.5%FSB
±4LSB
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±0.5%FSB±2LSB
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±1.0%FSB
±4LSB
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(1)碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调
(2)薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可调
3.6 电源
输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：<20W
3.7 外形尺寸：
主机 220mm（长）×245 mm（宽）×100mm（高）
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