
您当前的位置:首页 » 产品展示 » HAD-GCLG 珍型雷击计数器测试器

| 产品名称: | HAD-GCLG 珍型雷击计数器测试器 |
| 产品型号: | HAD-GCLG |
| 品牌: | 663 |
| 产品数量: | |
| 产品单价: | 面议 |
| 日期: | 2019-11-18 |
HAD-GCLG 珍型雷击计数器测试器的详细资料
珍型雷击计数器测试器 雷击计数器测试器 雷击计数器检测仪HAD-GCLG珍型雷击计数器测试器是我公司有关人员根据电力用户的需要而心研制的。产品外形美观,携带使用都很方便,它替代了传统的笨重测试设备和测试方法,深受广大专业人员的欢迎。
几何尺寸:Ф36×375,头部为Ф50×100,重量为780克
电源:DC6V,用一号电池四节可供2000次的放电测试。
若电源不足会延长充电时间,拧开后盖即可换电池
输出电压: 800~1000V
电源开关设在器身与头部之间,任意方向旋转 90 度,听到“嚓嚓”声即表示接通电源,反之为关闭电源。使用前先在尾部插入接地线,接通电源后绿灯亮,待红灯亮(约 3-5 秒)即可通过头部伸缩导电杆(可根据计数器安装高度在未接通电源时拉出)对雷击计数器进行测试。无须关闭电源可反复测试(每次充电时导电杆应离开试品)。
磁电阻效应实验仪 型号;HAD-FD-MR-C
磁电阻传感器由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、器械、探矿等领域应用,如:数字式罗盘、交通车辆检测,导航系统、伪钞检测、位置测量等。其中典型的锑化铟( InSb )传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻传感器,有着重要的应用价值。
本实验装置结构简单、实验内容丰富,使用两种类型的传感器:利用砷化镓( GaAs )霍耳传感器测量磁感应强度,研究锑化铟( InSb )磁电阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。
应用该实验仪可以完成以下实验:
• 测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。
• 作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。
• 对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合。
• 研究 InSb 磁电阻传感器在弱磁场下的交流特性(倍频效应),观测其的物理现象。
该仪器具有研究性和性实验的特点,可用于理工科大学的基础物理实验和性综合物理实验,也可用于演示实验。
仪器主要参数:
1 .磁电阻传感器工作电源 输出电流 0 - 3mA 连续可调。
2 .数字式毫特仪 测量范围 0 - 199.9mT 分辨率 0.1mT ,液晶显示
3 .数字电压表 测量范围 0 - 1999mV 分辨率 1mV ,液晶显示
磁阻效应实验仪 型号;HAD-FD-MR-II
磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、器械、探矿等领域应用,如:数字式罗盘、交通车辆检测,导航系统、伪钞检测、位置测量等。其中典型的锑化铟( InSb)传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻,有着重要的应用价值。
本实验装置结构简单、实验内容丰富,使用两种材料的传感器:利用砷化镓( GaAs)霍耳传感器测量磁感应强度,研究锑化铟(InSb)磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。学生可观测半导体的霍耳效应和磁阻效应两种物理规律,具有研究性和性实验的特点。
该仪器可用于理工科大学的基础物理实验和性综合物理实验,也可用于演示实验。
应用本实验仪可以完成以下实验:
1.用于测定通过电磁铁的电流和磁铁间隙中磁感应强度的关系,观测砷化镓(GaAs)霍耳元件的霍耳效应。
2.用于测定锑化铟(InSb)磁阻元件电阻大小磁感应强度的对应关系。
3.研究锑化铟(InSb)磁阻元件在不同磁感应强度区域的电阻值变化与磁感应强度的关系,进行曲线拟合,求出磁阻元件电阻与磁感应强度关系的经验公式。
4.外接信号发生器,深入研究磁电阻的交流特性(倍频效应),观测其的物理现象(选做)。
仪器主要参数:
1.双路直流电源
电流范围 0-500mA 连续可调,数字电流表显示大小。
电流范围 0-3mA 连续可调,供传感器的工作电流。
2.数字式毫特计
测量范围 0-0.5T,分辨率0.0001T,率为1%。