一、概述

在一些科学研究和实践中，往往需要了解带电体周围静电场的分布情况。一般来说带电体的形状比较复杂，很难用理论方法进行计算。用实验手段直接研究和测绘静电场通常也很困难。因为仪表（或其探测头）放入静电场，总要使被测场原有分布状态发生畸变；而且除静电式仪表之外的一般磁电式仪表不能用于静电场的直接测量，因为静电场中有电流流过，对这些仪表不起作用。所以，人们常用“模拟法”间接测绘静电场的分布。

模拟法在科学实验中有着其的应用，其本质是用一种易于实现、便于测量的物理状态或过程的研究去代替另一种不易实现、不便测量的状态或过程的研究。为了克服直接测量静电场的困难，我们可以仿造一个与待测静电场分布完一样的电流场，用容易直接测量的电流场去模拟静电场。本仪器就是利用不良导体导电微晶来模拟静电场。

二、用途

1．描绘同轴电缆的静电场分布；

2．描绘聚焦电的电场分布。

三、仪器组成及参数

1．直流稳压电源：1.25～10V，数显，连续可调；

2．导电微晶：表面电导率分布均匀；

银电：烧结在导电微晶上，导电性能好；

3．同步探针：探测电为导电橡胶，对导电微晶无磨损；

4．双层固定支架。